200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодни чип
  • 200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодни чип200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодни чип

200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодни чип

200ум ИнГаАс Аваланцхе Пхотодиоде Цхип је специјално дизајниран да има ниску таму, ниску капацитивност и велико појачање лавине. Коришћењем овог чипа може се постићи оптички пријемник високе осетљивости.

Пошаљи упит

Опис производа

1. Резиме 200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодног чипа

200ум ИнГаАс Аваланцхе Пхотодиоде Цхип је специјално дизајниран да има ниску таму, ниску капацитивност и велико појачање лавине. Коришћењем овог чипа може се постићи оптички пријемник високе осетљивости.

2. Увођење 200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодног чипа

200ум ИнГаАс Аваланцхе Пхотодиоде Цхип је специјално дизајниран да има ниску таму, ниску капацитивност и велико појачање лавине. Коришћењем овог чипа може се постићи оптички пријемник високе осетљивости.

3. Карактеристике 200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодног чипа

Опсег детекције 900нм-1650нм;

Брзи;

Висок одзив;

Ниска капацитивност;

Ниска тамна струја;

Горња осветљена планарна структура.

4. Примена 200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодног чипа

Мониторинг;

Фибер-оптиц Инструментс;

Дата Цоммуницатионс.

5. Апсолутне максималне оцене 200ум ИнГаАс лавинског фотодиодног чипа

Параметар Симбол Валуе Јединица
Максимална струја напред - 10 мА
Максимални напон напајања - ВБР V
Радна температура Топр -40 до +85
Температура складиштења Тстг -55 до +125

6. Електро-оптичке карактеристике (Т=25°ƒ) 200ум ИнГаАс лавинског фотодиодног чипа

Параметар Симбол Стање Мин. Тип. Макс. Јединица
Опсег таласних дужина λ   900 - 1650 нм
Бреакдовн Волтаге ВБР Ид =10уА 40 - 60 V
Температурни коефицијент ВБР - - - 0.12 - В/а„ƒ
Одговорност R ВР =ВБР -4В 9 10 - А/В
Тамна струја ИД ВБР -4В - 6.0 30 нА
Капацитет C ВР =38В, ф=1МХз - 1.6 - пФ
Бандвитх Бв - - 2.0 - ГХз

7. Параметар димензија 200ум ИнГаАс лавинског фотодиодног чипа

Параметар Симбол Валуе Јединица
Пречник активне површине D 200 ум
Пречник јастучића за везивање - 60 ум
Величина матрице - 350к350 ум
Дебљина калупа t 180±20 ум

8. Испорука, испорука и сервирање 200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодног чипа

Сви производи су тестирани пре слања;

Сви производи имају 1-3 године гаранције. (Након што је период гаранције квалитета почео да се наплаћује одговарајућа накнада за услугу одржавања.)

Ценимо ваше пословање и нудимо тренутну политику поврата од 7 дана. (7 дана након пријема предмета);

Ако артикли које купујете у нашој продавници нису савршеног квалитета, односно не раде електронски према спецификацијама произвођача, једноставно нам их вратите на замену или повраћај новца;

Ако су артикли неисправни, обавестите нас у року од 3 дана од испоруке;

Све ставке морају бити враћене у оригиналном стању да би се квалификовале за повраћај или замену;

Купац је одговоран за све настале трошкове испоруке.

8. ФАК

П: Коју бисте активну област желели?

О: имамо 50ум 200ум 500ум активно подручје ИнГаАс Аваланцхе фотодиодни чип.

П: Који је захтев за конектор?

О: Бок Оптроницс се може прилагодити вашим захтевима.

Хот Тагс: 200ум ИнГаАс Аваланцхе фотодиодни чип, произвођачи, добављачи, велепродаја, фабрика, прилагођени, расути, Кина, произведени у Кини, јефтини, ниска цена, квалитет
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept