Плава ласачка полуводичка ласерска структура и принцип рада

У зависности од материјала активне регије, ширина јазног јаза полуводича од полуводичког материјала плавог ласачког полуводича, тако да полуводички ласер може да емитује светлост различитих боја. Активна регија Материјал плавог ласачког полуводича је ГАН или ИНГАН. Структура типичног ласера ​​на бази ГАН-а приказана је на слици 1. Од дна до врха у Смјеру З Н-електродама, Н-Елецтрода, Н-Електрода, Н-типе А1ган слој Н-типа ХГАН-а, а активни слој не ненамерним допед ГГОН Горњи таласни слој за блокирање ХГона (ЕБЛ) А1ган Горња, нехотично допед блокирајући слој ГГНОН ГЛОПТГЛЕГУИД-а. Слој затвора, ГАН слој ГАН и П-електрода

Индекс прехрамбеног материјала са више-квантивним активним регионом (МКВС) је највиши, а рефракциони индекс материјала са обе стране активног региона показује тренд смањења. Кроз дистрибуцију рефракционог индекса материјала у правцу З висок у средини и ниским и нижим и испод, лагано поље у С правцу са Г-а Горњи и доњи таласни слојеви. У режију И, део слоја П-ових типа са обе стране ласера ​​уклања је јеткање и танки слој силицијум диоксида (СиО2) је депонован, на крају формирајући структуру гребена. Рефракцијски индекс силиконског диоксида и ваздуха мањи је од оног слоја типа П, тако да је индекс лома за рефракцију у игри и у средњем и ниском на обе стране, а лагано поље је ограничено на средину гребена. Због ограничавајућег ефекта И и З смјера на лаганом пољу, светлосно поље у ИЗ равнини представља елиптичну дистрибуцију. У правцу Кс, предње и задње површине шупљине могу се формирати механичком цепањем или јеткањем, а рефлективност површина предње и задње шупљине могу се прилагодити испаравањем диелектричног филма. Обично је рефлективност предње површине шупљине мања од оне површине задње шупљине како би се осигурало да се ласер емитује са површине предње шупљине.